تحرص شركة Samsung على البدء في تصنيع ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6 قبل إصدار Snapdragon 8 Gen 4

تعمل Samsung وSK Hynix معًا للحصول على شهادة LPDDR6 RAM في أقرب وقت ممكن. وفقًا للمطلعين على الصناعة، فإن الشركات الكورية مستعدة للبدء في تصنيع رقائق الذاكرة بمجرد الموافقة على المعيار من قبل JEDEC (المجلس المشترك لهندسة الأجهزة الإلكترونية).

من المتوقع أن يتم نشر اللوائح والوثائق في النصف الثاني من العام، وتريد سامسونج تجهيز شرائح الذاكرة الجديدة للهواتف المزودة بمعالج Snapdragon 8 Gen 4، حيث يمكن أن تتجاوز نماذج الذكاء الاصطناعي التوليدية عتبة 10 مليارات معلمة.

يحتوي Snapdragon 8 Gen 3 من Qualcomm على وحدة NPU التي تدعم نموذج الذكاء الاصطناعي التوليدي مع مليار معلمة على الجهاز. إن تجاوز خطوة الـ 10 مليارات يعني أن الذكاء الاصطناعي التوليدي سوف يفهم الفيديو بشكل أفضل وينشئ خوارزميات برمجة أكثر دقة، مما يؤدي إلى تحسين الأداء العام للهاتف الذكي.

لا يزال LPDDR6 يفتقر إلى خارطة طريق واضحة، خاصة عندما يتعلق الأمر بعرض النطاق الترددي والمقدار الذي سيتم تخصيصه لعمليات الذكاء الاصطناعي. تعمل سامسونج على تحسين LPDDR5 (إلى 5X و5T) من خلال التركيز على السعر المنخفض وكفاءة الطاقة العالية بدلاً من الأداء الفعلي، ويجب أن يتغير هذا بمجرد انتهاء JEDEC، المنظمة الدولية المسؤولة عن معايير أشباه الموصلات، من الإصدار الجديد.

بعبارات عامة، يمكن أن توفر ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6 مع Snapdragon 8 Gen 4 الخطوة التالية من ميزات الذكاء الاصطناعي في الهواتف الذكية في وقت مبكر من عام 2025. وقد نرى مقاطع فيديو فعلية يتم تحريرها في الوقت الفعلي أو حتى يتم إنشاؤها من لا شيء إذا سارت الأمور كما هو مخطط لها. .

المصدر (باللغة الكورية)