أول ظهور لهاتف Samsung Galaxy S24 + مع Snapdragon 8 Gen 3 الذي يعمل بنظام Geekbench 6
تم إطلاق Snapdragon 8 Gen 2 بتكوين غير عادي لوحدة المعالجة المركزية – 1 رئيس ، أداء 2 + 2 و 3 نوى كفاءة. ظهرت بطاقة أداء Geekbench 6.1.0 للتو وتوضح أن Qualcomm تسقط نواة كفاءة واحدة لإضافة نواة أداء إضافية وأن نوى الأداء ستعمل بسرعات مختلفة.
يحتوي على نواة أساسية 1x بسرعة 3.30 جيجاهرتز ، ثم ثلاثة نوى أداء بسرعة 3.15 جيجاهرتز ، وينضم إليها اثنان آخران يعملان عند 2.96 جيجاهرتز أقل ، وأخيراً ، نواتان للكفاءة عند 2.27 جيجاهرتز. فيما يلي جدول مقارنة:
| Snapdragon 8 Gen 3 (تخميني) | Snapdragon 8 Gen 2 | |
| رئيس | 1x Cortex-X4 @ 3.30 جيجا هرتز | 1x Cortex-X3 @ 3.2 جيجا هرتز * |
| الأداء 1 | 3x Cortex-A7xx @ 3.15 جيجا هرتز | 2x Cortex-A715 @ 2.8 جيجا هرتز |
| الأداء 2 | 2x Cortex-A7xx @ 2.96 جيجا هرتز | 2x Cortex-A710 @ 2.8 جيجا هرتز |
| كفاءة | 2x Cortex-A5xx بسرعة 2.27 جيجا هرتز | 3x Cortex-A510 بسرعة 2.0 جيجا هرتز |
| * 3.36 جيجا هرتز Prime core على رقاقات “for Galaxy” و 8+ Gen 2 | ||
لاحظ أنه في حين أن نوى الأداء في 8 Gen 2 كانت مختلفة (A715 و A710) ، فإنها تعمل على نفس التردد. يعمل الجيل الثامن من الجيل الثالث على تشغيل المجموعتين بترددات مختلفة ، ولم يُعرف بعد ما إذا كانت تحتوي على نوى مختلفة. كشفت ARM بالفعل عن Cortex-X4 و A720 و A520 ، لذا فهم المرشحون الأكثر ترجيحًا لشريحة Gen 3 (ما لم يخرج ARM بتصميمات جديدة من الآن وحتى 24 أكتوبر).
يتبع التكوين الأساسي 1 + 5 + 2 أو بالأحرى 1+ (3 + 2) +2 الإعداد الذي كان يدور في ذهن ARM عند تصميم هذه النوى. يعد X4 بأداء أعلى بنسبة 15٪ على طاقة متساوية أو كفاءة أعلى بنسبة 25٪ بأداء متساوٍ. كانت التوقعات هي أن يصل X4 إلى 3.4 جيجا هرتز ، إلى حد كبير حيث توجد رقائق “for Galaxy” / 8 + Gen 2 في الوقت الحالي (يعمل النواة الأساسية عند 3.36 جيجا هرتز).
نتيجة Geekbench 6.1.0 من Samsung Galaxy S24 + (SM-S926U)
ماذا عن الشائعات القائلة بأن النواة الأساسية 8 من الجيل الثالث ستعمل بسرعة 3.7 جيجاهرتز؟ سيكون هذا مثيرًا للإعجاب في جهاز يعمل بالبطارية ومبرد بشكل سلبي ، ولكن حتى العقدة الجديدة (TSMC N4P بدلاً من N4) قد لا تكون كافية لسحب ذلك. واستناداً إلى هذه النتائج المعيارية (المعترف بها في وقت مبكر جدًا) ، لم تصل Qualcomm و TSMC إلى 3.7 جيجا هرتز.
هناك دائمًا احتمال أن تكون بعض أوضاع الأداء قد حددت السرعة القصوى (هذا دائمًا سؤال يتعلق بمعايير لم نقم بتشغيلها بأنفسنا). كما أنه ليس من الواضح ما إذا كانت هذه شريحة “لجهاز Galaxy” – يُزعم أن شركة Samsung قامت بتمديد صفقة Qualcomm إلى العام المقبل أيضًا.
حتى لو لم يكن الأمر كذلك ، فإن التعزيز على Snapdragon 8 Gen 2 لجهاز Galaxy كبير جدًا لجيل واحد – + 12٪ أحادية النواة و + 26٪ رفع متعدد النواة للشريحة الجديدة. لا يزال الأداء أحادي النواة متخلفًا عن شريحة A16 من Apple ، لكن النتيجة متعددة النواة في المقدمة.
بالطبع ، سيتعين على Snapdragon 8 Gen 3 التعامل مع A17 ، وليس A16 ، في المركز الأول في تصنيفات الأداء. واشترت Apple تقريبًا كل سعة 3 نانومتر لبناء رقائقها ، لذلك سيكون لها ميزة العقدة.
من المتوقع أن تكشف شركة كوالكوم عن Snapdragon 8 Gen 3 في نهاية شهر أكتوبر ، وستكشف Samsung النقاب عن سلسلة Galaxy S24 في وقت مبكر من العام المقبل.
المصدر | عبر
المصدر : Gsmarena .
