تبدأ شركة سامسونج الإنتاج الضخم لذاكرة DDR4 المميزة بدقة تصنيع 10 نانومتر خلال النصف الثاني من هذا العام، حيث من المقرر أن تأتي ذاكرة 1z-nm DRAM بسعة 8 جيجا بايت.
ومن المقرر وفقاً لتصريحات سامسونج أن تضع ذاكرة 1z-nm DRAM النواة للجيل القادم من واجهات DRAM، والتي يأتي من بينها DDR5، و LPDDR5، وأيضاً GDDR6.
وتؤكد العملاق الكوري في تصريحاتها أيضاً على أن الشركة تحرص على مواكبة إحتياجات السوق، لذا تخطط لزيادة إنتاجها من ذاكراة DRAM المطلوبة بشكل كبير في السوق العالمية الآن.
