سامسونج تؤكد على تطوير الجيل الثالث من ذاكرة DDR4 بدقة 10 نانومتر

تبدأ شركة سامسونج الإنتاج الضخم لذاكرة DDR4 المميزة بدقة تصنيع 10 نانومتر خلال النصف الثاني من هذا العام، حيث من المقرر أن تأتي ذاكرة 1z-nm DRAM بسعة 8 جيجا بايت.

ومن المقرر وفقاً لتصريحات سامسونج أن تضع ذاكرة 1z-nm DRAM النواة للجيل القادم من واجهات DRAM، والتي يأتي من بينها DDR5، و LPDDR5، وأيضاً GDDR6.

وتؤكد العملاق الكوري في تصريحاتها أيضاً على أن الشركة تحرص على مواكبة إحتياجات السوق، لذا تخطط لزيادة إنتاجها من ذاكراة DRAM المطلوبة بشكل كبير في السوق العالمية الآن.

المصدر