آخر الأخبار

تبدأ شركة Samsung الإنتاج الضخم لذاكرة الوصول العشوائي ذات سعة 16 جيجابايت LPDDR5

بعد خمسة أشهر من بدء الإنتاج الضخم لـ Samsung سعة 12 جيجابايت LPDDR5 DRAM ، بدأت الآن في تصنيع وحدات 16 جيجابايت في مصنعها في Pyeongtaek. أعلنت الشركة على موقعها على شبكة الإنترنت أن الحزمة الجديدة مبنية على عملية 10nm من الجيل الثاني وتوفر سرعة نقل بيانات تصل إلى 5500 ميجا بايت / ثانية.

Samsung 16 GB LPDDR5 DRAM
Samsung 16 GB LPDDR5 DRAM
Samsung 16 GB LPDDR5 DRAM
Samsung 16 GB LPDDR5 DRAM

Samsung 16 GB LPDDR5 DRAM

تتألف المنصة من ثماني شرائح بسعة 12 جيجابت وأربع شرائح بسعة 8 جيجابت ، مما يوفر “ضعف سعة DRAM الموجودة في العديد من أجهزة الكمبيوتر المحمولة وأجهزة الكمبيوتر المحمولة ذات الألعاب المتطورة اليوم” على حد تعبير بيان صحفي من Samsung. السبب في التطوير المستمر للتكنولوجيا والقدرة الأعلى هو زيادة الطلب على الطاقة والأداء والسرعة وميزات 5G و AI المحسنة مثل التصوير الذكي.

تاريخ التطوير سعة DRAM المحمول
ديسمبر 2019 16 غيغا بايت 10 نانومتر فئة 12 جيجا بايت LPDDR5 ، 5500 ميجابايت / ثانية
يوليو 2019 12GB 10 نانومتر فئة 12 جيجا بايت LPDDR5 ، 5500 ميجابايت / ثانية
يونيو 2019 6GB 10 نانومتر فئة 12 جيجا بايت LPDDR5 ، 5500 ميجابايت / ثانية
فبراير 2019 12GB 10 نانومتر فئة 16 جيجا بايت LPDDR4X ، 4266 ميجابايت / ثانية
أبريل 2018 8GB (التنمية) 10 نانومتر فئة 8 جيجا بايت LPDDR5 ، 6400 ميجا بايت / ثانية

أعلنت سامسونج أيضًا عن خطط لإنتاج 16 جيجا بايت من منتجات LPDDR5 المبنية على تقنية الجيل الثالث من فئة 10nm (1z) في وقت لاحق من هذا العام والتي من شأنها رفع سرعة نقل البيانات إلى 6400 ميجا بايت / ثانية. وبهذه الطريقة ، يمكن للعملاق الكوري “توطيد ميزته التنافسية في الأسواق مثل الأجهزة المحمولة المتميزة وأجهزة الكمبيوتر المتطورة وتطبيقات السيارات.”

مصدر

مقالات ذات صلة

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني.

زر الذهاب إلى الأعلى