شاركت شركة Qualcomm النتائج القياسية لـ Snapdragon 8 Gen 3 الجديد في Snapdragon Tech Summit 2023، حيث كشفت عن أداء الشريحة في AnTuTu 10 وGeekbench 6 وPC Mark وGFXBench و3DMark وAI Mark وMLPerf وJetStream 2.1 وSpeedometer 2.1.
سجلت شركة SoC الجديدة 2.13 مليون في AnTuTu 10، وهو أفضل بنسبة 30٪ تقريبًا من Snapdragon 8 Gen 2، وحوالي 2300 (أحادية النواة) و7500 (متعددة النواة) على Geekbench 6.
تم بناء Snapdragon 8 Gen 3 على عملية TSMC 4 نانومتر ويحتوي على وحدة معالجة مركزية ثمانية النواة مع Cortex-X4 بتردد 3.3 جيجا هرتز، وخمسة Cortex-A720 بتردد يصل إلى 3.2 جيجا هرتز، واثنين من Cortex-A520 بتردد 2.3 جيجا هرتز.
جيك بنش 6
- متعدد النواة
- جوهر واحد
مرجع Snapdragon 8 Gen 3
سناب دراجون 8 الجيل الثالث
512 جيجابايت، 16 جيجابايت رام
512 جيجابايت، 16 جيجابايت رام
ايفون 15 برو ماكس
أبل A17 برو
256 جيجابايت، 8 جيجابايت رام
256 جيجابايت، 8 جيجابايت رام
جالكسي اس 23 الترا
سنابدراجون 8 الجيل الثاني SM8550-AC
512 جيجابايت، 12 جيجابايت رام
512 جيجابايت، 12 جيجابايت رام
بكسل 8 برو
جوجل تينسور G3
128 جيجابايت، 8 جيجابايت رام
128 جيجابايت، 8 جيجابايت رام
ون بلس مفتوح
سناب دراجون 8 الجيل الثاني
512 جيجابايت، 16 جيجابايت رام
512 جيجابايت، 16 جيجابايت رام
أنتوتو 10
مرجع Snapdragon 8 Gen 3
سناب دراجون 8 الجيل الثالث
512 جيجابايت، 16 جيجابايت رام
512 جيجابايت، 16 جيجابايت رام
ايفون 15 برو ماكس
أبل A17 برو
256 جيجابايت، 8 جيجابايت رام
1290 × 2796 بكسل
256 جيجابايت، 8 جيجابايت رام
1290 × 2796 بكسل
جالكسي اس 23 الترا
سنابدراجون 8 الجيل الثاني SM8550-AC
512 جيجابايت، 12 جيجابايت رام
1440 × 3088 بكسل
512 جيجابايت، 12 جيجابايت رام
1440 × 3088 بكسل
ون بلس مفتوح
سناب دراجون 8 الجيل الثاني
512 جيجابايت، 16 جيجابايت رام
2268 × 2440 بكسل
512 جيجابايت، 16 جيجابايت رام
2268 × 2440 بكسل
بكسل 8 برو
جوجل تينسور G3
128 جيجابايت، 8 جيجابايت رام
1344 × 2992 بكسل
128 جيجابايت، 8 جيجابايت رام
1344 × 2992 بكسل
عبر
المصدر : Gsmarena .
مقالات ذات صلة
