أعلنت شركة Samsung عن أول ذاكرة DDR5 DRAM من فئة 12 نانومتر

أعلنت شركة Samsung اليوم عن إصدار محدث من ذاكرة DDR5 DRAM بسعة 16 جيجا بايت. تم بناء الذاكرة على تقنية معالجة من فئة 12 نانومتر ، مطورة من منتج 14 نانومتر EUV الموجود حاليًا في السوق.

كما تم الإعلان عن أن ذاكرة DDR5 DRAM الجديدة متوافقة مع منتجات AMD – وقد تم تحسينها والتحقق من صحتها على منصات Zen.

قال Jooyoung Lee ، نائب الرئيس التنفيذي لمنتج وتقنية DRAM في Samsung ، إن المعيار الجديد سيكون عاملاً تمكينيًا رئيسيًا في دفع اعتماد DDR5 DRAM على مستوى السوق.

يتم تصنيعها باستخدام مادة جديدة تزيد من سعة الخلية وتقنية التصميم الخاصة التي تعمل على تحسين خصائص الدوائر الحرجة.

يعتمد DRAM الجديد على الطباعة الحجرية EUV (الأشعة فوق البنفسجية الشديدة) ، مما يسمح بكثافة قالب أعلى وإنتاجية أفضل بنسبة 20٪. كما أنها تستهلك طاقة أقل بنسبة 23٪ ، مما يفتح الباب لعمليات صديقة للبيئة أفضل بين شركات تكنولوجيا المعلومات.

من المتوقع أن يبدأ شحن بطاقات الذاكرة الأولى المزودة بذاكرة DDR5 DRAM الجديدة في عام 2023.

مصدر