تقنيات متفرقة

سامسونج تبدأ في شحن الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر

إستطاعت العملاق الكوري أن تتفوق على TSMC، حيث بدأت سامسونج في شحن الجيل الجديد من الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر.

تتنافس شركة سامسونج مع TSMC للسيطرة على حصة أكبر في سوق الرقاقات، وأيضاً تحقيق ثورة جديدة في سوق الرقاقات بإطلاق الترقية الجديدة في عملية التصنيع التي تتميز بدقة 3 نانومتر.


اعلان


ولقد أعلنت سامسونج بالفعل عن تحقيق ريادة جديدة بالوصول إلى الأسواق برقاقات مميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر، وترانزستور GAA الذي يدعم زيادة التحكم وأيضاً زيادة كفاءة الطاقة في الرقاقات.

من جانب أخر تستخدم TSMC في الوقت الراهن تصميم FinFET في الترانزستور الخاص برقاقات الشركة المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر، على أن تبدأ الشحن في النصف الثاني من 2022، أيضاً أن تبدأ الشركة في إستخدام عملية GAA في الجيل القادم من الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 2 نانومتر، على أن يتم شحن هذه الرقاقات في 2026.

ولقد أقامت سامسونج حدث للإحتفال ببدء شحن الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 3نانومتر قبل TSMC، حيث بدأت العملاق الصيني في شحن المرحلة الأولى من الرقاقات لدعم الشركات المصنعة للعملات المشفرة، لذا لن تقدم سامسونج الرقاقات للشركات المصنعة للهواتف الذكية.

أيضاً من المقرر أن تدعم الرقاقات توفير إستهلاك الطاقة بنسبة كبيرة، كما تقدم سامسونج لاحقاً الشرائح للهواتف الذكية، حيث من المتوقع أن ترتكز رقاقة Exynos 2300 القادمة من سامسونج على دقة تصنيع 3 نانومتر، أيضاً تقدم كوالكوم لاحقاً للأسواق رقاقة Snapdragon 8 Gen 2 التي تستخدم الترقية الجديدة في عملية التصنيع.

المصدر

اعلان

الوسوم

3nm GAA process node Samsung TSMC

المصدر : التقنية بلا حدود.

مقالات ذات صلة

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني.

زر الذهاب إلى الأعلى