شائعة: سيتم تصنيع Snapdragon 895 على عقدة Samsung 4nm ، 895+ على عقدة 4nm TSMC

تم تصنيع Snapdragon 865 في عملية N7P الخاصة بـ TSMC (الجيل الثاني 7 نانومتر) ، لكن كوالكوم تحولت إلى مسابك سامسونج عند طلب Snapdragon 888. تم تسجيل Cortex-X1 عند 2.995 جيجاهرتز (أعلى من 2.84 جيجاهرتز) ووحدة المعالجة العصبية NPU تصل إلى 32 TOPS (أعلى من 26 TOPS).

يقول إن الأمور ستبدو مختلفة العام المقبل عالم الجليد – سيتم تصنيع Snapdragon 895 بواسطة Samsung عند عقدة 4 نانومتر ، بينما سيتم إجراء ترقية Snapdragon 895+ في مسابك TSMC ذات 4 نانومتر بدلاً من ذلك.

كلاهما عبارة عن تحسينات للعقد 5 نانومتر الخاصة بالمسابك ، ومع ذلك ، لم يتم الإعلان عن مزايا الأداء وتوفير الطاقة المحتمل للعمليات الجديدة علنًا بعد.

هناك احتمالات بأن Snapdragon 895 و 895+ سيتبعان جدولًا زمنيًا مشابهًا للإصدارين 888 هذا العام – يتم إطلاق إصدار الفانيليا في ديسمبر / يناير ، ويأتي Plus بعد نصف عام. إذا لم يكن هناك شيء آخر ، فسيتم (على أمل) إزالة النقص في أشباه الموصلات بحلول ذلك الوقت.

قد تكون خيارات مسبك كوالكوم في العام الماضي مقيدة من قبل شركة آبل بشراء حصة كبيرة من إمدادات TSMC 5 نانومتر لكل من شرائح Apple A14 و M1. في العام المقبل ، ومع ذلك ، يقال إن الشركة ستقسم الطلبات وستحصل على 4 نانومتر رقائق A15 لأجهزة iPhone و 3 نانومتر شرائح لأجهزة iPad. بطريقة أو بأخرى ، هناك طاقة إنتاجية كافية متاحة في مسابك TSMC حتى أن MediaTek طلبت شرائح 4 نانومتر (في الواقع ، قد تكون هذه أول رقائق 4 نانومتر تصل إلى السوق ، لكنها ستكون باهظة الثمن).

من المتوقع أن تستخدم Samsung مسبك 4 نانومتر الخاص بها لصنع Exynos 2200 ، والتي يجب أن تكون أول شريحة مزودة بوحدة معالجة رسومات AMD RDNA 2. اختارت شركة Qualcomm مسبك Samsung 4 نانومتر لأجهزة المودم X65 و X62 5G ، لذلك من الطبيعي أن يستخدم Snapdragon 895 (الذي سيحتوي على X65 مدمج) نفس العملية.

مصدر